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Composants de circuit intégré d'emballage standard 2N5401G
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 150V |
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
Transistor Type | PNP |
Package composant fournisseur | TO-92-3 |
Séries | - |
Puissance - Max | 625mW |
Emballage | Bulk |
Package / Boîte | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Autres noms | 2N5401G-ND 2N5401GOS |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | 300MHz |
Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor PNP 150V 600mA 300MHz 625mW Through Hole TO-92-3 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 600mA |
Numéro de pièce de base | 2N5401 |