AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSPW47N60C3FKSA1
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SPW47N60C3FKSA1
- Méga source #: MEGA-SPW47N60C3FKSA1
- Fabricant: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
- Emballage: Tube
- La description: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
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En stock: 84
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard SPW47N60C3FKSA1
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 2.7mA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PG-TO247-3 |
| Séries | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 30A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 415W (Tc) |
| Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-247-3 |
| Autres noms | SP000013953 SPW47N60C3 SPW47N60C3IN SPW47N60C3IN-ND SPW47N60C3X SPW47N60C3XK SPW47N60C3XTIN SPW47N60C3XTIN-ND |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 320nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 650V |
| Description détaillée | N-Channel 650V 47A (Tc) 415W (Tc) Through Hole PG-TO247-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 47A (Tc) |
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