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Composants de circuit intégré d'emballage standard SPU30N03S2L-10
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 50µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | P-TO251-3 |
Séries | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 30A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 82W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Autres noms | SP000013467 SPU30N03S2L-10IN SPU30N03S2L-10XTIN SPU30N03S2L-10XTIN-ND SPU30N03S2L10X |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1460pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 39.4nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 30V |
Description détaillée | N-Channel 30V 30A (Tc) 82W (Tc) Through Hole P-TO251-3 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 30A (Tc) |