AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBSP300L6327HUSA1
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BSP300L6327HUSA1
- Méga source #: MEGA-BSP300L6327HUSA1
- Fabricant: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
- Emballage: Tape & Reel (TR)
- La description: MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
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En stock: 50556
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard BSP300L6327HUSA1
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PG-SOT223-4 |
| Séries | SIPMOS® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 Ohm @ 190mA, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 1.8W (Ta) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-261-4, TO-261AA |
| Autres noms | BSP300 L6327 BSP300 L6327-ND BSP300L6327HUSA1TR BSP300L6327XT SP000089201 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 25V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 800V |
| Description détaillée | N-Channel 800V 190mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 190mA (Ta) |
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