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Composants de circuit intégré d'emballage standard NSV60100DMTWTBG
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 60V |
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 100mA, 2A |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Package composant fournisseur | 6-WDFN (2x2) |
Séries | - |
Puissance - Max | 2.27W |
Emballage | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte | 6-WDFN Exposed Pad |
Autres noms | NSV60100DMTWTBGOSCT |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 22 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | 155MHz |
Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 1A 155MHz 2.27W Surface Mount 6-WDFN (2x2) |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 1A |