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Composants de circuit intégré d'emballage standard 94-3250
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±12V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | DIRECTFET™ MQ |
Séries | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 12A, 7V |
Dissipation de puissance (max) | 2.3W (Ta), 42W (Tc) |
Emballage | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte | DirectFET™ Isometric MQ |
Autres noms | *IRF6604 94-3250CT IRF6604CT IRF6604CT-ND |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2270pF @ 15V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 4.5V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 7V |
Tension drain-source (Vdss) | 30V |
Description détaillée | N-Channel 30V 12A (Ta), 49A (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MQ |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 12A (Ta), 49A (Tc) |