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Composants de circuit intégré d'emballage standard DF200R12W1H3B27BOMA1
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 1200V |
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Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic | 1.3V @ 15V, 30A |
Package composant fournisseur | Module |
Séries | - |
Puissance - Max | 375W |
Package / Boîte | Module |
Autres noms | DF200R12W1H3_B27 DF200R12W1H3_B27-ND SP001056182 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
NTC thermistance | Yes |
Type de montage | Chassis Mount |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
Contribution | Standard |
type de IGBT | - |
Description détaillée | IGBT Module 2 Independent 1200V 30A 375W Chassis Mount Module |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 1mA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 30A |
Configuration | 2 Independent |