L'étiquette et le marquage corporel de l'IRFR18N15DTRR peuvent être fournis après la commande.
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Composants de circuit intégré d'emballage standard IRFR18N15DTRR
Tension - Test | 900pF @ 25V |
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Tension - Ventilation | D-Pak |
Vgs (th) (Max) @ Id | 125 mOhm @ 11A, 10V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Séries | HEXFET® |
État RoHS | Tape & Reel (TR) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18A (Tc) |
Polarisation | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant | IRFR18N15DTRR |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 43nC @ 10V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5V @ 250µA |
Fonction FET | N-Channel |
Description élargie | N-Channel 150V 18A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak |
Tension drain-source (Vdss) | - |
La description | MOSFET N-CH 150V 18A DPAK |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 150V |
Ratio de capacité | 110W (Tc) |