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Composants de circuit intégré d'emballage standard MUN5335DW1T1G
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Package composant fournisseur | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Séries | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Puissance - Max | 250mW |
Emballage | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Autres noms | MUN5335DW1T1GOSCT |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 40 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | - |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
Numéro de pièce de base | MUN53**DW1 |