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GDP08S120A
- Méga source #: MEGA-GDP08S120A
- Fabricant: SemiQ
- Emballage: Tube
- La description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO220-2
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
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Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard GDP08S120A
| Tension - Inverse de crête (max) | Silicon Carbide Schottky |
|---|---|
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 8A |
| Tension - Ventilation | TO-220-2 |
| Séries | Amp+™ |
| État RoHS | Tube |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Résistance @ Si, F | 477pF @ 1V, 1MHz |
| Polarisation | TO-220-2 |
| Autres noms | 1560-1016-5 |
| Température d'utilisation - Jonction | 0ns |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant | GDP08S120A |
| Description élargie | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 8A Through Hole TO-220-2 |
| Configuration diode | 100µA @ 1200V |
| La description | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO220-2 |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 1.7V @ 8A |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 1200V (1.2kV) |
| Capacité à Vr, F | -55°C ~ 135°C |
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