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Composants de circuit intégré d'emballage standard SQM100N02-3M5L_GE3
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | TO-263 (D²Pak) |
Séries | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 30A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 150W (Tc) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5500pF @ 10V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 20V |
Description détaillée | N-Channel 20V 100A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak) |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 100A (Tc) |