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MBR200150CT
- Méga source #: MEGA-MBR200150CT
- Fabricant: GeneSiC Semiconductor
- Emballage: Bulk
- La description: DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
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En stock: 57314
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard MBR200150CT
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 880mV @ 100A |
|---|---|
| Tension - inverse (Vr) (max) | 150V |
| Package composant fournisseur | Twin Tower |
| La vitesse | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries | - |
| Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | Twin Tower |
| Température d'utilisation - Jonction | -55°C ~ 150°C |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 4 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode | Schottky |
| Configuration diode | 1 Pair Common Cathode |
| Description détaillée | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 150V 100A Chassis Mount Twin Tower |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 3mA @ 150V |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 100A |
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