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GSID200A170S3B1
- Méga source #: MEGA-GSID200A170S3B1
- Fabricant: SemiQ
- Emballage:
- La description: SILICON IGBT MODULES
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
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Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard GSID200A170S3B1
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 1200V |
|---|---|
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 200A |
| Package composant fournisseur | D3 |
| Séries | Amp+™ |
| Puissance - Max | 1630W |
| Package / Boîte | D-3 Module |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
| NTC thermistance | No |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Délai de livraison standard du fabricant | 8 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 26nF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| type de IGBT | - |
| Description détaillée | IGBT Module 2 Independent 1200V 400A 1630W Chassis Mount D3 |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 1mA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 400A |
| Configuration | 2 Independent |
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