AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF7324D1TRPBF
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IRF7324D1TRPBF
- Méga source #: MEGA-IRF7324D1TRPBF
- Fabricant: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
- Emballage: Cut Tape (CT)
- La description: MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
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En stock: 589
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard IRF7324D1TRPBF
| Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±12V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 8-SO |
| Séries | FETKY™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max) | 2W (Ta) |
| Emballage | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms | *IRF7324D1TRPBF IRF7324D1PBFCT |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 260pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8nC @ 4.5V |
| type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.7V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss) | 20V |
| Description détaillée | P-Channel 20V 2.2A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2.2A (Ta) |
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