AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleIXYN75N65C3D1
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IXYN75N65C3D1
- Méga source #: MEGA-IXYN75N65C3D1
- Fabricant: IXYS / Littelfuse
- Emballage:
- La description: IGBT
- Rohs conforme:
- Datasheet:
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Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard IXYN75N65C3D1
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 650V |
|---|---|
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 60A |
| Condition de test | 400V, 60A, 3 Ohm, 15V |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 26ns/93ns |
| énergie de commutation | 2mJ (on), 950µJ (off) |
| Package composant fournisseur | SOT-227B |
| Séries | XPT™, GenX3™ |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 65ns |
| Puissance - Max | 600W |
| Package / Boîte | SOT-227-4, miniBLOC |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Délai de livraison standard du fabricant | 24 Weeks |
| Type d'entrée | Standard |
| type de IGBT | - |
| gate charge | 122nC |
| Description détaillée | IGBT 650V 150A 600W Chassis Mount SOT-227B |
| Courant - Collecteur pulsée (Icm) | 360A |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 150A |
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