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Composants de circuit intégré d'emballage standard FQB9P25TM
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±30V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | D²PAK (TO-263AB) |
Séries | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620 mOhm @ 4.7A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 3.13W (Ta), 120W (Tc) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Autres noms | FQB9P25TM-ND FQB9P25TMTR |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1180pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
type de FET | P-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 250V |
Description détaillée | P-Channel 250V 9.4A (Tc) 3.13W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 9.4A (Tc) |