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Composants de circuit intégré d'emballage standard LSIC1MO120E0080
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 10mA |
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Vgs (Max) | +22V, -6V |
La technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Package composant fournisseur | TO-247-3 |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 20A, 20V |
Dissipation de puissance (max) | 179W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-247-3 |
Autres noms | F10335 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 29 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1825pF @ 800V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 20V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 20V |
Tension drain-source (Vdss) | 1200V |
Description détaillée | N-Channel 1200V 39A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 39A (Tc) |