AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRZM001P02T2L
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RZM001P02T2L
- Méga source #: MEGA-RZM001P02T2L
- Fabricant: LAPIS Technology
- Emballage: Tape & Reel (TR)
- La description: MOSFET P-CH 20V 0.1A VMT3
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
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En stock: 53521
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard RZM001P02T2L
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±10V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | VMT3 |
| Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max) | 150mW (Ta) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | SOT-723 |
| Autres noms | RZM001P02T2LTR |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 10 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 15pF @ 10V |
| type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.2V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss) | 20V |
| Description détaillée | P-Channel 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 100mA (Ta) |
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