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Composants de circuit intégré d'emballage standard IXFN50N120SK
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 10mA |
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Vgs (Max) | +20V, -5V |
La technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Package composant fournisseur | SOT-227B |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 40A, 20V |
Dissipation de puissance (max) | - |
Package / Boîte | SOT-227-4, miniBLOC |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Délai de livraison standard du fabricant | 24 Weeks |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1895pF @ 1000V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 115nC @ 20V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 20V |
Tension drain-source (Vdss) | 1200V |
Description détaillée | N-Channel 1200V 48A (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 48A (Tc) |