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Composants de circuit intégré d'emballage standard SPW11N80C3FKSA1
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 680µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | PG-TO247-3 |
Séries | CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 7.1A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 156W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-247-3 |
Autres noms | SP000013703 SPW11N80C3 SPW11N80C3IN SPW11N80C3IN-ND SPW11N80C3X SPW11N80C3XK SPW11N80C3XTIN SPW11N80C3XTIN-ND |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 100V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 800V |
Description détaillée | N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO247-3 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 11A (Tc) |