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Composants de circuit intégré d'emballage standard BSP299L6327HUSA1
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
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Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | PG-SOT223-4 |
Séries | SIPMOS® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 400mA, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 1.8W (Ta) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | TO-261-4, TO-261AA |
Autres noms | BSP299 L6327 BSP299 L6327-ND BSP299 L6327TR-ND BSP299L6327HUSA1TR BSP299L6327XT SP000089200 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 25V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 500V |
Description détaillée | N-Channel 500V 400mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 400mA (Ta) |