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Composants de circuit intégré d'emballage standard 1N3766
Tension - Inverse de crête (max) | Standard |
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Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 35A |
Tension - Ventilation | DO-5 |
Séries | - |
État RoHS | Bulk |
Temps de recouvrement inverse (trr) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Résistance @ Si, F | - |
Polarisation | DO-203AB, DO-5, Stud |
Autres noms | 1N3766GN |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 10 Weeks |
Référence fabricant | 1N3766 |
Description élargie | Diode Standard 800V 35A Chassis, Stud Mount DO-5 |
Configuration diode | 10µA @ 50V |
La description | DIODE GEN PURP 800V 35A DO5 |
Courant - fuite, inverse à Vr | 1.2V @ 35A |
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 800V |
Capacité à Vr, F | -65°C ~ 190°C |