AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDMA008P20LZ
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FDMA008P20LZ
- Méga source #: MEGA-FDMA008P20LZ
- Fabricant: AMI Semiconductor/onsemi
- Emballage: Tape & Reel (TR)
- La description: MOSFET P-CHANNEL 20V 12A 6PQFN
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
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En stock: 58321
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard FDMA008P20LZ
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±8V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 6-PQFN (2x2) |
| Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max) | 2.4W (Ta) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 6-PowerWDFN |
| Autres noms | FDMA008P20LZ-ND FDMA008P20LZOSTR |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 26 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4383pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 4.5V |
| type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.5V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss) | 20V |
| Description détaillée | P-Channel 20V 12A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 12A (Ta) |
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