Langue sélective

  1. English
  2. 繁体中文
  3. Беларусь
  4. Български език
  5. polski
  6. فارسی
  7. Dansk
  8. Deutsch
  9. русский
  10. Français
  11. Pilipino
  12. Suomi
  13. საქართველო
  14. 한국의
  15. Hausa
  16. Nederland
  17. Čeština
  18. Hrvatska
  19. lietuvių
  20. românesc
  21. Melayu
  22. Kongeriket
  23. Português
  24. Svenska
  25. Cрпски
  26. ภาษาไทย
  27. Türk dili
  28. Україна
  29. español
  30. עִבְרִית
  31. Magyarország
  32. Italia
  33. Indonesia
  34. Tiếng Việt
  35. हिंदी
(Cliquez sur l'espace vide pour fermer)
AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxFDMQ8203
FDMQ8203

L'étiquette et le marquage corporel de l'FDMQ8203 peuvent être fournis après la commande.

FDMQ8203

Méga source #: MEGA-FDMQ8203
Fabricant: AMI Semiconductor/onsemi
Emballage: Cut Tape (CT)
La description: MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Datasheet:

Notre certification

Appel d'offres rapide

En stock: 486

Veuillez envoyer RFQ, nous répondrons immédiatement.
( * est obligatoire)

Quantité

Description du produit

Nous stockons le distributeur de FDMQ8203 à un prix très compétitif.Consultez FDMQ8203 le plus récent Pirce, l'inventaire et le délai de livraison maintenant en utilisant le formulaire RFQ rapide.Notre engagement envers la qualité et l'authenticité de l'FDMQ8203 est inébranlable, et nous avons mis en œuvre des processus d'inspection et de livraison de qualité stricts pour assurer l'intégrité de l'FDMQ8203.Vous pouvez également trouver une fiche technique FDMQ8203 ici.

Spécifications

Composants de circuit intégré d'emballage standard FDMQ8203

Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Package composant fournisseur 12-MLP (5x4.5)
Séries GreenBridge™ PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 3A, 10V
Puissance - Max 2.5W
Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte 12-WDFN Exposed Pad
Autres noms FDMQ8203CT
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 6 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V
type de FET 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Fonction FET Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss) 100V, 80V
Description détaillée Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V, 80V 3.4A, 2.6A 2.5W Surface Mount 12-MLP (5x4.5)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.4A, 2.6A
Numéro de pièce de base FDMQ8203

FDMQ8203 FAQ

FNos produits sont-ils de bonne qualité?Y a-t-il une assurance qualité?
QNos produits grâce à un dépistage strict, pour garantir que les utilisateurs achètent des produits authentiques et assurés, s'il y a des problèmes de qualité, peut être retourné à tout moment!
FLes entreprises d'MEGA SOURCE sont-elles fiables?
QNous sommes créés depuis plus de 20 ans, en nous concentrant sur l'industrie de l'électronique et nous nous efforçons de fournir aux utilisateurs les produits IC de meilleure qualité
FEt le service après-vente?
QPlus de 100 équipes de service client professionnel, 7 * 24 heures pour répondre à toutes sortes de questions
FEst-ce un agent?Ou un intermédiaire?
QMEGA SOURCE est l'agent source, supprimant l'intermédiaire, réduisant le prix du produit dans la plus grande mesure et bénéficiant aux clients

20

Expertise de l'industrie

100

Commandes de qualité vérifié

2000

Clients

15 000

Entrepôt en stock
MegaSource Co., LTD.