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Composants de circuit intégré d'emballage standard TK100L60W,VQ
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 5mA |
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Vgs (Max) | ±30V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | TO-3P(L) |
Séries | DTMOSIV |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 50A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 797W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-3PL |
Autres noms | TK100L60W,VQ(O TK100L60WVQ |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 15000pF @ 30V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 360nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | Super Junction |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 600V |
Description détaillée | N-Channel 600V 100A (Ta) 797W (Tc) Through Hole TO-3P(L) |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 100A (Ta) |