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Composants de circuit intégré d'emballage standard NSTB60BDW1T1G
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
Transistor Type | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Package composant fournisseur | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Séries | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 22 kOhms |
Puissance - Max | 250mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Autres noms | NSTB60BDW1T1GOS NSTB60BDW1T1GOS-ND NSTB60BDW1T1GOSTR |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 40 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | 140MHz |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V 150mA 140MHz 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 150mA |
Numéro de pièce de base | NSTB60B |