AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (BJT) - SingleJANS2N3637
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JANS2N3637
- Méga source #: MEGA-JANS2N3637
- Fabricant: Microsemi
- Emballage: Bulk
- La description: TRANS PNP 175V 1A TO-39
- Rohs conforme: Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- Datasheet:
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En stock: 497
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard JANS2N3637
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 175V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
| Transistor Type | PNP |
| Package composant fournisseur | TO-39 |
| Séries | Military, MIL-PRF-19500/357 |
| Puissance - Max | 1W |
| Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Autres noms | 1086-15161 1086-15161-MIL |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 33 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Fréquence - Transition | - |
| Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor PNP 175V 1A 1W Through Hole TO-39 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 10V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 10µA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 1A |
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JANS2N3637 FAQ
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