AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (BJT) - SingleMJD31CT4
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MJD31CT4
- Méga source #: MEGA-MJD31CT4
- Fabricant: AMI Semiconductor/onsemi
- Emballage: Cut Tape (CT)
- La description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
- Rohs conforme: Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- Datasheet:
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En stock: 50048
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard MJD31CT4
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 100V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A |
| Transistor Type | NPN |
| Package composant fournisseur | DPAK |
| Séries | - |
| Puissance - Max | 1.56W |
| Emballage | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms | MJD31CT4OSCT |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Fréquence - Transition | 3MHz |
| Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.56W Surface Mount DPAK |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 3A, 4V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 50µA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 3A |
| Numéro de pièce de base | MJD31 |
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