AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDP8870
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FDP8870
- Méga source #: MEGA-FDP8870
- Fabricant: Fairchild (onsemi)
- Emballage: Tube
- La description: MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
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Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard FDP8870
| Tension - Test | 5200pF @ 15V |
|---|---|
| Tension - Ventilation | TO-220AB |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.1 mOhm @ 35A, 10V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Séries | PowerTrench® |
| État RoHS | Tube |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19A (Ta), 156A (Tc) |
| Polarisation | TO-220-3 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 12 Weeks |
| Référence fabricant | FDP8870 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 132nC @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5V @ 250µA |
| Fonction FET | N-Channel |
| Description élargie | N-Channel 30V 19A (Ta), 156A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Tension drain-source (Vdss) | - |
| La description | MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 30V |
| Ratio de capacité | 160W (Tc) |
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