L'étiquette et le marquage corporel de l'APTSM120AM09CD3AG peuvent être fournis après la commande.
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Composants de circuit intégré d'emballage standard APTSM120AM09CD3AG
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 9mA |
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Package composant fournisseur | Module |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 180A, 20V |
Emballage | Bulk |
Package / Boîte | Module |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 14 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 23000pF @ 1000V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 1224nC @ 20V |
type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Fonction FET | Silicon Carbide (SiC) |
Tension drain-source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 337A (Tc) Chassis Mount Module |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 337A (Tc) |