AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaiséPDTB123ET,215
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PDTB123ET,215
- Méga source #: MEGA-PDTB123ET,215
- Fabricant: Nexperia
- Emballage: Tape & Reel (TR)
- La description: TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
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En stock: 59475
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard PDTB123ET,215
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur | TO-236AB (SOT23) |
| Séries | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 2.2 kOhms |
| Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Puissance - Max | 250mW |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Autres noms | 1727-1702-2 568-11242-2 568-11242-2-ND 934058976215 PDTB123ET T/R PDTB123ET T/R-ND PDTB123ET,215-ND |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 500mA |
| Numéro de pièce de base | PDTB123 |
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