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Composants de circuit intégré d'emballage standard C3M0065100K
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 5mA |
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Vgs (Max) | +19V, -8V |
La technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Package composant fournisseur | TO-247-4L |
Séries | C3M™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78 mOhm @ 20A, 15V |
Dissipation de puissance (max) | 113.5W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-247-4 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | Not Applicable |
Délai de livraison standard du fabricant | 26 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 600V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 15V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 15V |
Tension drain-source (Vdss) | 1000V |
Description détaillée | N-Channel 1000V 35A (Tc) 113.5W (Tc) TO-247-4L |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 35A (Tc) |