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Composants de circuit intégré d'emballage standard SI7121DN-T1-GE3
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±25V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | PowerPAK® 1212-8 |
Séries | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 10A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | PowerPAK® 1212-8 |
Autres noms | SI7121DN-T1-GE3TR SI7121DNT1GE3 |
Température de fonctionnement | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 27 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1960pF @ 15V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
type de FET | P-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 30V |
Description détaillée | P-Channel 30V 16A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 16A (Tc) |