AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPU50R950CEBKMA1
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IPU50R950CEBKMA1
- Méga source #: MEGA-IPU50R950CEBKMA1
- Fabricant: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
- Emballage: Tube
- La description: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
Notre certification
Appel d'offres rapide
En stock: 51343
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard IPU50R950CEBKMA1
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 100µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PG-TO251-3 |
| Séries | CoolMOS™ CE |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 1.2A, 13V |
| Dissipation de puissance (max) | 34W (Tc) |
| Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Autres noms | IPU50R950CE IPU50R950CE-ND SP001022956 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 231pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 13V |
| Tension drain-source (Vdss) | 500V |
| Description détaillée | N-Channel 500V 4.3A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 4.3A (Tc) |
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