AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRW1C025ZPT2CR
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RW1C025ZPT2CR
- Méga source #: MEGA-RW1C025ZPT2CR
- Fabricant: LAPIS Technology
- Emballage: Digi-Reel®
- La description: MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
Notre certification
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En stock: 50642
Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard RW1C025ZPT2CR
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±10V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 6-WEMT |
| Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max) | 700mW (Ta) |
| Emballage | Original-Reel® |
| Package / Boîte | SOT-563, SOT-666 |
| Autres noms | RW1C025ZPT2CRDKR |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 4.5V |
| type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.5V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss) | 20V |
| Description détaillée | P-Channel 20V 2.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2.5A (Ta) |
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RW1C025ZPT2CR FAQ
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