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Composants de circuit intégré d'emballage standard TP65H050WS
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.8V @ 700µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Package composant fournisseur | TO-247-3 |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 22A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 119W (Tc) |
Package / Boîte | TO-247-3 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
Délai de livraison standard du fabricant | 15 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 400V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 650V |
Description détaillée | N-Channel 650V 34A (Tc) 119W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 34A (Tc) |