AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleR8002ANX
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R8002ANX
- Méga source #: MEGA-R8002ANX
- Fabricant: LAPIS Technology
- Emballage: Bulk
- La description: MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM
- Rohs conforme: Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Datasheet:
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Description du produit
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Spécifications
Composants de circuit intégré d'emballage standard R8002ANX
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±30V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-220FM |
| Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3 Ohm @ 1A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 35W (Tc) |
| Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | TO-220-3 Full Pack |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 17 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 210pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 12.7nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 800V |
| Description détaillée | N-Channel 800V 2A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FM |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2A (Tc) |
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